HMC-ALH369是一款GaAs MMIC HEMT三级、自偏置、低噪声放大器芯片，工作频率范围为24至40 GHz。 该放大器提供22 dB增益，采用+5V/66 mA单偏置电源，噪声系数为2 dB。 由于尺寸较小(2.88 mm²)，HMC-ALH369放大器芯片适合集成到多芯片模块(MCM)中。HMC-ALH369出色的噪声系数： 2.0 dB增益：

  CG2H40010P氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  Wolfspeed 的 CG2H40010 是无与伦比的；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；从 28 伏电压轨运行；提供通用的；适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和宽带宽能力；使 CG2H40010 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管可用于两种旋入式；法兰和焊接药丸封装

  C3M0280090J用于快速开关功率器件的碳化硅解决方案Wolfspeed 扩展了其在碳化硅 (SiC) 技术低电感分立封装方面的领头羊，具有宽漏极和源极之间的爬电距离和间隙距离 (~8mm)。充分的利用最新 MOSFET 芯片的高频能力，同时提供适用于高对环境造成污染的额外电气隔离。独立的 Kelvin 源极引脚降低了电感；可将开关损耗降低多达 30%。设计人

  C3D10060G为600 V 分立碳化硅肖特基二极管。Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。将 Wolfspeed 碳化硅二极管与SiC MOSFET配对，在一起购买时可实现更高效率和更低组件价格的强大组合。C3D10060G好处• 用单极整流器代

  CGD15SG00D2是Wolfspeed的用于第三代 (C3M™) SiC MOSFET的栅极驱动器板，Wolfspeed 的 CGD1700HB2P-HM3 外观尺寸合适；用于 Gen3 高性能 62 mm 电源模块平台 (HM3) 的双通道栅极驱动器。两个栅极驱动通道中的每一个都受到过流和反极性保护。支持 90 kHz 开关频率的板载 3 W 隔离电源

  GTRA384802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  描述GTRA384802FC 是一款 400 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入和输出匹配；高效率; 以及带有无耳法兰的热增强封装。 GTRA384802FC-V1 特征输入匹配非对称 Doherty 设计：主 P3dB 200 W Typ；峰值 P3dB 280 W 典型值典

  MSW2T-206x-195 系列表面贴装大功率 PIN 二极管开关采用高可靠性混合制造工艺，与基于 MMIC 和玻璃载体的技术相比，具有经证实的卓越性能。混合设计方法允许精确选择 PIN 二极管以优化 RF 性能，同时保持具有竞争力的成本目标。小尺寸 (8mm x 5mm x 2.5mm) 提供世界一流的功率解决能力、低插入损耗和卓越的互调性能，超过所有竞

  MADS-002501-0002G0 (HMIC)肖特基二极管 MACOM品牌

  MADS-002501-0002G0 SURMOUNT™ 肖特基二极管是一种硅低势垒器件，采用获得专利的异石微波集成电路 (HMIC) 工艺制造。HMIC 电路由硅基座组成，这些基座形成二极管或嵌入玻璃电介质中的通孔导体，玻璃电介质充当低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC 设备在一个薄型、可靠的设备中具有非常出色的损耗和功率耗散特性 产品规格零件号

  广州九芯电子科技有限公司 是国内知名的语音芯片方案提供商，引领智能语音“芯”时代！公司以芯片设计和音频编解码算法、智能AI算法研究为基础、面向音频播放、识别方向的人工智能以及集成电路电子科技类产品高新技术企业。九芯电子凭借一直在优化自主的音频编解码算法，以及更先进的芯片设计，来保证语音芯片高保真，高识别率，实现用户在产品应用中慢慢的升高的技术